知晓：RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白2023/7/17 13:36:46

2023-7-17 13:36| 发布者: 天若有情| 查看: 75| 评论: 0

摘要: 　　一、破局进口品牌垄断　　现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊 ...

　　一、破局进口品牌垄断

　　现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面?。超高压管http://www.cnjfree.com/JFREE捷孚瑞超高压管品牌是一家自主研发、生产和销售用于高压管材应用领域的高新技术企业，涵盖超高压管、高压软管、中压软管和高压五金配件等；目前占地面积58000平方米,总投资达1.2亿元,配置全套产业园设施和国内领先的一站式高新技术企业综合生产基地。是超高压管生产的源头厂家、国产品牌授权代理代销，支持OEM/ODM定制。国产化工艺和管理理念，经过数年的研发和技术革新，在船泊清洗、工业清洗，汽车制造，船舶维修、通用机械等行业的超高压应用领域取得了不菲的业绩。

　　二、产品应用及特点

　　超高压的器件主要应用场景为音响电源、变频器电源、逆变器、DC-DC转换、工业三相智能电表、LED照明驱动等辅助电源。

　　产品特点：

　　1.新型的横向变掺杂技术、超高电压，超小内阻；

　　2.散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小；

　　3.开关速度较低，具有更好的EMI兼容性；

　　4.产品性能高，可实现国产替代进口。

　　三、产品型号匹配应用

　　瑞森半导体超高压MOSFET-RS9N90F产品匹配：

　　可替代国外品牌多个产品型号，如：意法STF9NK90Z，?ON安森美FQPF9N90C。

　　超高压MOSFET-RS9N90F漏源击穿电压高达900V，漏极电流最大值为9A，适用于LED照明驱动电源、变频器电源、音响电源等。

　　RS9N90F的开启延迟典型值为50nS，关断延迟时间典型值为86nS，上升时间65nS，下降时间34nS，反向传输电容4pF，反向恢复时间550nS，正向电压的最大值为1V。其导通阻抗典型值为1.2Ω，最大功耗为68W，最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55℃到150℃，可适用于大部分环境。

　　瑞森半导体超高压MOSFET-RS3N150F产品匹配：

　　N沟道MOSFET--RS3N150F漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为3A，适用于逆变器、工业三相智能电表、DC-DC转换等，可以替代3N150等型号参数的场效应管。例如，在工业三相智能电表上主要运用AC 380V变频器反激式辅助电源其特点：

　　该MOS管VDS电压1500V，在550V电压上需留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管，而RS3N150F耐压VDS电压为1500V满足应用需求；

　　其导通电阻为典型值5.5Ω，可降低导通损耗，降低输入电源功耗；续漏极电流在25℃时最大额定值为3A，一般辅助电源功率在10几V，电流余量可满足功率需求，同时最大结温为150℃，存储温度范围均为-55℃到150℃，符合工业级温度范围，可完全适用于工业市场。

　　四、典型应用拓扑图

　　五、瑞森半导体产品推荐

　　RS3N150F的VDS电压是1500V，完全适合母线电压高达800V的使用场景，并留有足够的防击穿余量，同时瑞森半导体还推荐如下产品选型：