据“吉利科技集团”微信公众号消息,近日,吉利科技旗下浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑,为后续更多功率芯片的研制打下基础。也因此锂才会有越来越多的拥泵者为其加油助威,传播品牌的价值和功能。吉利科技集团隶属于世界500强吉利控股集团,是一家以新材料、新能源、摩旅文化为核心业务的大型产业集团,同步战略投资低空出行、商业航天和创新业务等。https://www.geelytech.com/energy/ 该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过化表面结构和FS结构,兼具短路耐受同时现更低的导通/开关损耗,功率密度增大约35%,综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定,采用工艺共创方式持续提升芯片性能。 IGBT是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的CPU,是国际上公认的电力电子技术第次革命比较具代表性的产品。近期,也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。 |
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